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J-GLOBAL ID：200903063942786112

フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法

Inventor：
加門 和也

About 加門 和也


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 田澤 博昭 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999006956
Publication number (International publication number)：2000206671
Application date： Jan. 13, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】 フォトマスク表面に複雑なトポグラフィーが形成され、製造工程での耐久性は低く欠陥を引起し低品質でこれを使用して製造される半導体集積回路装置の歩留まりが低下するといった課題があった。【解決手段】 透明ガラス基板10とその面上の凹部23内に形成された遮光パターン11と、透明ガラス基板10と遮光パターン11上に選択的に形成され、その表面が平坦である位相シフトパターン102が形成されたフォトマスクおよびその製造方法。
Claim (excerpt)：
透明基板と、前記透明基板の面上に形成された所定数の凹部と、前記凹部内のそれぞれに形成された遮光膜からなる遮光パターンと、前記遮光パターンの各々の表面、または裏面、または表面および裏面に反射防止膜が形成されたフォトマスク。
IPC (3)：
G03F 1/08 ,  G03F 1/14 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F 1/08 A ,  G03F 1/14 F ,  H01L 21/30 502 P
F-Term (11)：
2H095BA01 ,  2H095BA12 ,  2H095BB03 ,  2H095BB08 ,  2H095BB10 ,  2H095BB15 ,  2H095BB27 ,  2H095BC10 ,  2H095BC13 ,  2H095BC24 ,  2H095BC28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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