反射防止膜形成用組成物及びそれに用いるラダー型シリコーン共重合体

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：阿形明 , 水口崇敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003396335
Publication number (International publication number)：2004341479
Application date： Nov. 26, 2003
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：

【課題】有機溶剤に可溶で慣用のスピンコーティング法により簡単に塗布することができ、保存安定性がよく、しかも放射線を吸収する発色団を導入することにより、その反射防止能力の調整が可能な反射防止膜形成用組成物を提供する。【解決手段】 (A)(a1)(ヒドロキシフェニルアルキル)シルセスキオキサン単位10〜90モル%、(a2)(アルコキシフェニルアルキル)シルセスキオキサン単位0〜50モル%及び(a3)アルキル又はフェニルシルセスキオキサン単位10〜90モル%からなるラダー型シリコーン共重合体、(B)熱又は光により酸を発生する酸発生剤及び(C)架橋剤を有機溶剤に溶解してなり、かつArFレーザーに対する光学パラメーター(k値)が0.002〜0.95の範囲の反射防止膜を形成しうる反射防止膜形成用組成物である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(A)(a1)(ヒドロキシフェニルアルキル)シルセスキオキサン単位10〜90モル%、(a2)(アルコキシフェニルアルキル)シルセスキオキサン単位0〜50モル%及び(a3)アルキル又はフェニルシルセスキオキサン単位10〜90モル%からなるラダー型シリコーン共重合体、(B)熱又は光により酸を発生する酸発生剤及び(C)架橋剤を有機溶剤に溶解してなり、かつArFレーザーに対する光学パラメーター(k値)が0.002〜0.95の範囲の反射防止膜を形成しうることを特徴とする反射防止膜形成用組成物。

IPC (4)：

G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/075 , H01L21/027

FI (4)：

G03F7/11 503 , G03F7/004 501 , G03F7/075 521 , H01L21/30 574

F-Term (16)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025CB14 , 2H025CB33 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025CC03 , 2H025CC17 , 2H025DA34 , 2H025FA29 , 5F046PA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

レジスト下層膜用組成物およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-226604 Applicant：ジェイエスアール株式会社
反射防止ハードマスク組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-174636 Applicant：シップレーカンパニーエルエルシー

Cited by examiner (5)

特許第6340734号
電子線レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-154128 Applicant：東京応化工業株式会社
フォトリソグラフィ用スピンオンガラス反射防止コーティング
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-503571 Applicant：ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド

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