反射防止ハードマスク組成物

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：千田稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000174636
Publication number (International publication number)：2001053068
Application date： Jun. 12, 2000
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】反射防止ハードマスク組成物を提供する。【解決手段】 (a)基体上に誘電体層を有する集積回路基体を提供し;(b)誘電体層の上に、周期表のIIIa、IVa、Va、VIa、VIIa、VIII、Ib、IIb、IIIb、IVbまたはVb族から選択される1以上の無機元素を含む有機反射防止ハードマスク組成物の被覆層を堆積し;(c)反射防止ハードマスク組成物の被覆層の上にフォトレジスト組成物の被覆層を堆積し;(d)フォトレジスト組成物の被覆層をパターン付けされた放射線で露光し、現像し、反射防止ハードマスク組成物の上にフォトレジストレリーフイメージを形成し;(e)反射防止ハードマスク組成物をエッチングし、該組成物のレリーフイメージを形成し;さらに(f)露出した誘電体層領域をエッチングすることを含む、集積回路またはエレクトロニックパッケージング基板の上に位置する誘電体層をエッチングする方法が開示される。

Claim (excerpt)：

(a)基体上に誘電体層を有する集積回路基体を提供し;(b)誘電体層の上に、周期表のIIIa、IVa、Va、VIa、VIIa、VIII、Ib、IIb、IIIb、IVbまたはVb族から選択される1以上の無機元素を含む有機反射防止ハードマスク組成物の被覆層を堆積し;(c)反射防止ハードマスク組成物の被覆層の上にフォトレジスト組成物の被覆層を堆積し;(d)フォトレジスト組成物の被覆層をパターン付けされた放射線で露光し、現像し、反射防止ハードマスク組成物の上にフォトレジストレリーフイメージを形成し;(e)反射防止ハードマスク組成物をエッチングし、該組成物のレリーフイメージを形成し;さらに(f)露出した誘電体層領域をエッチングすることを含む、集積回路またはエレクトロニックパッケージング基板の上に位置する誘電体層をエッチングする方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/302 J , H01L 21/30 574

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-110677 Applicant：沖電気工業株式会社
光酸発生剤をしてなる反射防止コーティング組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-061845 Applicant：シップレーカンパニーエルエルシー
半導体装置の保護膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-238518 Applicant：日本電気株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ポリフェニルシルセスキオキサンの反射防止膜としての応用検討

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