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J-GLOBAL ID:200903064190545818

酸化アルミニウム薄膜、該酸化アルミニウム薄膜の形成方法、該酸化アルミニウム薄膜を用いた光起電力素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 荻上 豊規
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997205508
Publication number (International publication number):1999036098
Application date: Jul. 16, 1997
Publication date: Feb. 09, 1999
Summary:
【要約】【目的】 アモルファス構造を有し、半導電性であって、被覆性に優れ、電子デバイスの構成材料として好適に使用できる酸化アルミニウム薄膜を提供する。【構成】 アルミニウム基体(103)を、少なくとも硝酸イオンとアルミニウムイオンとを含有してなる水溶液(102)に浸漬して、該水溶液中に浸漬された対向電極(104)に対して、負の電流を印加することにより前記アルミニウム基体上に形成された酸化アルミニウム薄膜。
Claim (excerpt):
アルミニウム基体を、少なくとも硝酸イオンとアルミニウムイオンとを含有してなる水溶液に浸漬して、該水溶液中に浸漬された対向電極に対して、負の電流を印加することにより前記アルミニウム基体上に形成された酸化アルミニウム薄膜。
IPC (4):
C25D 11/04 303 ,  C25D 11/06 ,  H01L 31/04 ,  C01F 7/42
FI (4):
C25D 11/04 303 ,  C25D 11/06 B ,  C01F 7/42 ,  H01L 31/04 H
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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