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J-GLOBAL ID:200903064190545818
酸化アルミニウム薄膜、該酸化アルミニウム薄膜の形成方法、該酸化アルミニウム薄膜を用いた光起電力素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
荻上 豊規
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997205508
Publication number (International publication number):1999036098
Application date: Jul. 16, 1997
Publication date: Feb. 09, 1999
Summary:
【要約】【目的】 アモルファス構造を有し、半導電性であって、被覆性に優れ、電子デバイスの構成材料として好適に使用できる酸化アルミニウム薄膜を提供する。【構成】 アルミニウム基体(103)を、少なくとも硝酸イオンとアルミニウムイオンとを含有してなる水溶液(102)に浸漬して、該水溶液中に浸漬された対向電極(104)に対して、負の電流を印加することにより前記アルミニウム基体上に形成された酸化アルミニウム薄膜。
Claim (excerpt):
アルミニウム基体を、少なくとも硝酸イオンとアルミニウムイオンとを含有してなる水溶液に浸漬して、該水溶液中に浸漬された対向電極に対して、負の電流を印加することにより前記アルミニウム基体上に形成された酸化アルミニウム薄膜。
IPC (4):
C25D 11/04 303
, C25D 11/06
, H01L 31/04
, C01F 7/42
FI (4):
C25D 11/04 303
, C25D 11/06 B
, C01F 7/42
, H01L 31/04 H
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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太陽電池の製造方法および装置、並びに無定形シリコンの被着方法および被着チャンバ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-112649
Applicant:エナージイー・コンバージヨン・デバイセス,インコーポレテツド, キヤノン株式会社
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光起電力素子アレーの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-062818
Applicant:キヤノン株式会社
-
光電変換装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-078658
Applicant:京セラ株式会社
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半導体膜形成用基板及びそれを用いた半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-078671
Applicant:京セラ株式会社
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金属表面処理用電解化成処理液及び電解化成処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-257498
Applicant:ディップソール株式会社
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黒色皮膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-332218
Applicant:日本表面化学株式会社
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太陽電池装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-124781
Applicant:シチズン時計株式会社
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特開昭61-220379
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