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J-GLOBAL ID：200903064434494633

樹脂封止型半導体装置

Inventor：
水谷 厚司

About 水谷 厚司

, 
広瀬 伸一

About 広瀬 伸一

, 
原田 嘉治

About 原田 嘉治


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (3)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006110449
Publication number (International publication number)：2007287765
Application date： Apr. 13, 2006
Publication date： Nov. 01, 2007
Summary：
【課題】樹脂封止型半導体装置において、樹脂密着性を確保しつつ、リード認識性とはんだ濡れ性との両性能を確保するのに適したアウターリードの構成を実現する。【解決手段】リードフレーム30と半導体素子20とを互いに電気的に接続し、これらをモールド樹脂50で封止するとともに、インナーリード31の表面を、リードフレーム30の母材30aの表面よりも粗化された粗化メッキ膜331により形成し、アウターリード32を、プリント基板とはんだ付けするようにした半導体装置100において、アウターリード32の表面を、リードフレーム30の母材30aの表面よりも粗化された粗化メッキ膜332により形成し、インナーリード31における粗化メッキ膜331の方を、アウターリード32における粗化メッキ膜332よりも粗度を高くした。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
リードフレーム(30)と半導体素子(20)とが互いに電気的に接続されており、 これら半導体素子(20)およびリードフレーム(30)がモールド樹脂(50)で封止されており、 前記リードフレーム(30)のインナーリード(31)の表面は、前記リードフレーム(30)の母材(30a)の表面よりも粗化された粗化メッキ膜(331)により形成されており、 前記リードフレーム(30)のアウターリード(32)は、前記モールド樹脂(50)の外部にて、プリント基板(200)とはんだ付けされるようになっている樹脂封止型半導体装置において、 前記アウターリード(32)の表面は、前記リードフレーム(30)の母材(30a)の表面よりも粗化された粗化メッキ膜(332)により形成されており、 前記インナーリード(31)における前記粗化メッキ膜(331)の方が、前記アウターリード(32)における前記粗化メッキ膜(332)よりも粗度が高いことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (1)：
H01L 23/50
FI (2)：
H01L23/50 D ,  H01L23/50 H
F-Term (10)：
5F067AA04 ,  5F067AA05 ,  5F067AA13 ,  5F067AB02 ,  5F067AB03 ,  5F067BC01 ,  5F067DC11 ,  5F067DC19 ,  5F067DC20 ,  5F067EA04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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