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J-GLOBAL ID：200903064461842171

シリコン酸化膜の成膜方法および装置

Inventor：
本郷 俊明

About 本郷 俊明


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998114355
Publication number (International publication number)：1999293470
Application date： Apr. 10, 1998
Publication date： Oct. 26, 1999
Summary：
【要約】【課題】 プラズマCVDによりシリコン酸化膜を成膜する際に、熱酸化膜に匹敵する良好な膜質を得ることができるシリコン酸化膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。【解決手段】 処理室13内にシリコン含有ガスおよび酸素含有ガスを導入し、プラズマCVDにより基板G上にシリコン酸化膜を成膜し、その後シリコン含有ガスを停止して、水素ガスを処理室13内に導入して水素ガス含有プラズマを生成し、そのプラズマ中で基板Gを処理する。
Claim (excerpt)：
処理室内にシリコン含有ガスおよび酸素含有ガスを導入してこれらガスのプラズマを生成し、基板にシリコン酸化膜を堆積して成膜するシリコン酸化膜の成膜方法において、前記シリコン含有ガスおよび酸素含有ガス以外に、水素ガスを処理室内に導入して、処理室内に水素を含有するプラズマを生成する工程を具備することを特徴とするシリコン酸化膜の成膜方法。
IPC (5)：
C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H05H 1/46
FI (5)：
C23C 16/50 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  H05H 1/46 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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