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J-GLOBAL ID：200903064617940780

SOGを用いた室温ナノ-インプリント-リソグラフィー

Inventor：
松井 真二

About 松井 真二


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 宮本 晴視
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001293718
Publication number (International publication number)：2003100609
Application date： Sep. 26, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：
【要約】【課題】 能率的で、高精度のパターンが得られる室温ナノ-インプリント-リソグラフィーの提供。【解決手段】 一般式Aのシロキサン成分〔RnSi(OH)4-n〕 一般式A(但し、RはHまたはアルキル基、nは0〜3の整数)と溶媒としてのアルコール、エステル、ケトンまたはこれらの2種以上の混合物を主成分とする溶液を被加工材料表面に塗布後、該塗布面に室温において微細パターンの型押しをし、溶剤の除去および加水分解硬化により、または水素化シルセスキオキサンポリマーを用い、該ポリマーによる塗布膜を被加工材料表面に形成後、該塗布面を150°C以下でプリべーくした後型押しすることにより該被加工材料表面に微細SiO2パターンを形成する方法。
Claim (excerpt)：
一般式Aのシロキサン成分〔RnSi(OH)4-n〕 一般式A(但し、RはHまたはアルキル基、nは0〜3の整数)と溶媒としてのアルコール、エステル、ケトンまたはこれらの2種以上の混合物を主成分とする溶液を被加工材料表面に塗布後、該塗布面に室温において微細パターンの型押しをし、溶剤の除去および加水分解硬化により該被加工材料表面に微細SiO2パターンを形成する方法。
IPC (6)：
H01L 21/027 ,  B05D 3/02 ,  B05D 3/12 ,  B05D 7/24 302 ,  G03F 7/075 ,  H01L 21/316
FI (6)：
B05D 3/02 ,  B05D 3/12 C ,  B05D 7/24 302 Y ,  G03F 7/075 ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/30 502 D
F-Term (20)：
2H025AA20 ,  2H025CB33 ,  2H025EA10 ,  4D075BB06Z ,  4D075BB28Z ,  4D075CA23 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DC21 ,  4D075EA07 ,  4D075EA45 ,  4D075EB02 ,  4D075EB56 ,  5F046AA28 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BF47 ,  5F058BH01 ,  5F058BH12 ,  5F058BH20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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