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J-GLOBAL ID：200903064727938404

AlGaN結晶層の形成方法

Inventor：
小坂 圭

About 小坂 圭

, 
角谷 茂明

About 角谷 茂明

, 
柴田 智彦

About 柴田 智彦


Applicant, Patent owner：
日本碍子株式会社

About 日本碍子株式会社


Agent (3)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007076490
Publication number (International publication number)：2008235769
Application date： Mar. 23, 2007
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：
【課題】表面平坦性の優れたAlGaN結晶層を作製する方法を提供する。【解決手段】面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板の上に、応力緩和効果を有するバッファ層をした上で、AlGaN層を形成するようにすることで、表面が実質的に原子レベルで平坦なAlGaN層を形成することができる。特に、テンプレート基板の表面層が第1のAlN層からなる場合であれば、600°C以下の形成温度でTMAとTMGの混合ガスを、TMAに対するTMGの混合比を3/17以上6/17以下の範囲で供給して第2のAlN層を形成することで、応力緩和効果を有するバッファ層を好適に形成することができる。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
所定の単結晶基材上に、第1のAlN層を形成することによってテンプレート基板を作製する第1AlN層形成工程と、 前記第1のAlN層の上に、第2のAlN層を形成する第2AlN層形成工程と、 前記第2のAlN層の上に、AlGaN層を形成するAlGaN層形成工程と、 を備え、 前記第1AlN層形成工程においては実質的に原子レベルで平坦な表面を有するとともに面内圧縮応力が作用するように前記第1のAlN層を形成し、 前記第2AlN層形成工程においては前記第1のAlN層よりも面内圧縮応力が緩和されてなるように前記第2のAlN層を形成し、 前記AlGaN層形成工程においては1000°C以上の形成温度で前記AlGaN層を形成する、 ことを特徴とするAlGaN結晶層の形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C
F-Term (15)：
5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AF04 ,  5F045BB02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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