フォトニックデバイス用基板およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001114067
Publication number (International publication number)：2002176197
Application date： Apr. 12, 2001
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：

【要約】【課題】サファイア基板の上に、クラックがなく、結晶性に優れたAlGaInNバッファ層を有し、その上にクラックがなく、結晶性に優れたAlGaInNデバイス多層膜を成膜してフォトニックデバイスを得る基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板本体と、その表面に形成されたAlGaInNバッファ層とを有する基板の上に、AlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)となるようにAlGaInNデバイス多層膜が成膜されたフォトニックデバイスにおいて、バッファ層中の最少のAl組成を、デバイス多層膜中の最大膜厚の層のAl組成以上とし、バッファ層のAl組成xを、デバイス多層膜とは反対側よりデバイス多層膜に向けて、連続的またはステップ状に小さくする。

Claim (excerpt)：

サファイア、ZnO、SiC、Si、GaAs、GaNなどを基板本体として、その一方の表面に堆積形成されたAlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)バッファ層と、このバッファ層の表面にエピタキシャル成長により堆積形成されたAlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)デバイス多層膜とを具えるフォトニックデバイス用基板において、前記バッファ層中の、Al組成が最少の部分のAl組成を、前記デバイス多層膜中の少なくとも最大膜厚の層のAl組成以上とし、前記バッファ層のAl組成xを、前記デバイス多層膜とは反対側よりデバイス多層膜に向けて、連続的またはステップ状にAl組成比xの値が小さくなるように構成したことを特徴とする、フォトニックデバイス用基板。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 31/10

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01L 31/10 A

F-Term (31)：

5F041AA03 , 5F041CA22 , 5F041CA34 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC18 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF01 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045BB13 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045CA19 , 5F045DA53 , 5F045DA58 , 5F049MA04 , 5F049MB02 , 5F049NA13 , 5F049PA04 , 5F049QA18 , 5F049SE12 , 5F049SS01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

窒化物半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-237501 Applicant：日亜化学工業株式会社
3-5族化合物半導体と発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-046785 Applicant：住友化学工業株式会社
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-217875 Applicant：株式会社東芝

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