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J-GLOBAL ID：200903008636258039

ZnO系エピタキシャル成長基板、ZnO系エピタキシャル下地基板、及びZnO系膜の製造方法

Inventor： 柴田 智彦 ,  田中 光浩 ,  秩父 重英
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 杉村 興作
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002078485
Publication number (International publication number)：2003282434
Application date： Mar. 20, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】ベースとなる基板の種類によらず、ZnO系膜を高結晶品質の下に作製することのできるZnO系膜エピタキシャル成長用基板、及びこれに使用するZnO系膜エピタキシャル成長用下地基板を提供する。【解決手段】所定の単結晶材料からなる基材1上に、少なくともAlを含むIII族窒化物膜2をエピタキシャル成長させて形成し、このIII族窒化物膜2上にZnO系膜をエピタキシャル成長させて形成することによってZnO系膜エピタキシャル成長用基板10を作製する。基材1とIII族窒化物膜2とは、ZnO系膜エピタキシャル成長用下地基板5を構成する。

Claim (excerpt)：

単結晶材料からなる基材と、この基材上にエピタキシャル成長された、少なくともAlを含むIII族窒化物膜と、このIII族窒化物膜上にエピタキシャル成長されたZnO系膜とを具えることを特徴とする、ZnO系膜エピタキシャル成長用基板。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (26)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA59 ,  5F052DA04 ,  5F052DA06 ,  5F052GC06 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-263878   Applicant：財団法人ファインセラミックスセンター
• 単結晶基板とその上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体結晶とから構成されるエピタキシャルウェハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-310518   Applicant：昭和電工株式会社
• 窒化ガリウム半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-256806   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-217875   Applicant：株式会社東芝
• III族窒化物系化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-315193   Applicant：豊田合成株式会社
• III族窒化物系化合物半導体の製造方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-099949   Applicant：豊田合成株式会社