シリコンウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998279367
Publication number (International publication number)：2000091342
Application date： Sep. 14, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】シリコンウエーハをRTA装置を用いて、還元性雰囲気下で熱処理する方法に関し、特にウエーハ表面のマイクロラフネスを小さくして酸化膜耐圧やキャリアの移動度等の電気特性を改善すると共にスリップ転位の発生や重金属汚染を抑え、歩留りと生産性の向上並びにコストダウンを図る。【解決手段】急速加熱・急速冷却装置を用いてシリコンウエーハを水素を含む還元性雰囲気下で熱処理する方法において、該シリコンウエーハ表面上の自然酸化膜を除去した後、急速加熱・急速冷却装置を用いて、水素濃度100%あるいは水素を10%以上含有する不活性ガス雰囲気下で熱処理することを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法。

Claim (excerpt)：

急速加熱・急速冷却装置を用いてシリコンウエーハを還元性雰囲気下で熱処理する方法において、該シリコンウエーハ表面上の自然酸化膜を除去した後、急速加熱・急速冷却装置を用いて、水素100%あるいは水素を10%以上含有するアルゴンおよび/または窒素との混合ガス雰囲気下で熱処理することを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法。

FI (2)：

H01L 21/324 X , H01L 21/324 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

シリコン基板の熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-182612 Applicant：新日本製鐵株式会社
シリコンウエーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-090135 Applicant：東芝セラミックス株式会社, 新潟東芝セラミックス株式会社
半導体基材の加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-016524 Applicant：キヤノン株式会社

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