Pat
J-GLOBAL ID：200903064949528034

パターン形成方法

Inventor：
椿 英明

About 椿 英明


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (2)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007155322
Publication number (International publication number)：2008309878
Application date： Jun. 12, 2007
Publication date： Dec. 25, 2008
Summary：
【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する為のパターン形成方法を提供する。【解決手段】(ア)酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ネガ型現像用レジスト組成物を塗布する工程、(イ)前記レジスト膜の形成後かつ前記レジスト膜の露光前に、保護膜組成物による保護膜を形成する工程、(ウ)液浸媒体を介して露光する工程、及び(エ)ネガ型現像液を用いて現像を行う工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
(ア)酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ネガ型現像用レジスト組成物を塗布する工程、 (イ)前記レジスト膜の形成後かつ前記レジスト膜の露光前に、前記レジスト膜上に保護膜組成物による保護膜を形成する工程、 (ウ)液浸媒体を介して露光する工程、及び (エ)ネガ型現像液を用いて現像を行う工程、 を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5)：
G03F 7/32 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/11 ,  H01L 21/027
FI (7)：
G03F7/32 ,  G03F7/004 515 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/11 501 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/30 575
F-Term (31)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD07 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025DA02 ,  2H025DA03 ,  2H025DA34 ,  2H025FA16 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096AA28 ,  2H096BA11 ,  2H096CA06 ,  2H096EA05 ,  2H096GA03 ,  2H096GA09 ,  2H096JA08 ,  5F046BA04 ,  5F046BA05 ,  5F046JA22 ,  5F046LA18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (5)
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