トレンチ型MOS半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999352780
Publication number (International publication number)：2001168329
Application date： Dec. 13, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】トレンチ内に設けられたMOS構造のゲートを有するトレンチ型MOS半導体装置において、活性面積を犠牲にすることなく、また耐圧特性を劣化させることなく、外周にフローティングウェルを作らない構造を提供する。【解決手段】チップ端に向かうトレンチ5の終端と、隣接するトレンチの内の一方の端とを結ぶ、大きな曲率をもつ連結部51を、pウェル領域2の中に設ける。

Claim (excerpt)：

第一導電型ドレイン層と、その第一導電型ドレイン層の一方に設けられた第二導電型ウェル領域と、第二導電型ウェル領域の表面層に形成された第一導電型ソース領域と、その第一導電型ソース領域の表面から第二導電型ウェル領域を貫通し第一導電型ドレイン層に達するトレンチと、トレンチ内にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極層と、第一導電型ソース領域と第二導電型ウェル領域との表面に共通に接触して設けられたソース電極と、第一導電型ドレイン層の他方に設けられたドレイン電極とからなるトレンチ型MOS半導体装置において、チップ端に向かうトレンチが、そのトレンチの終端と隣接するトレンチの内の一方のトレンチの終端とをつなぐトレンチ連結部を、第二導電型ウェル領域内に有することを特徴とするトレンチ型MOS半導体装置。

FI (3)：

H01L 29/78 652 N , H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 653 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-061389 Applicant：株式会社東芝
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-280543 Applicant：株式会社東芝
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-017969 Applicant：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

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