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J-GLOBAL ID：200903065654470812

半導体レーザ装置の製造方法及び半導体レーザ装置

Inventor：
中川 康幸

About 中川 康幸

, 
國次 恭宏

About 國次 恭宏


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 宮田 金雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001295846
Publication number (International publication number)：2003101126
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：
【要約】【課題】 所望の反射率を有する、高精度の反射率制御膜を備えた半導体レーザ装置を製造する方法を提供する。また、この方法により製造された、所望の反射率を有する、高精度の反射率制御膜を備えた半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 異なる屈折率を有する少なくとも2層の絶縁膜を積層して構成した反射率制御膜を有する半導体レーザ装置の製造方法であって、半導体レーザ装置の発光波長をλ、反射率制御膜を構成する第1及び第2の絶縁膜の各屈折率ををn1、n2、前記第1及び第2の絶縁膜の各膜厚をd1、d2とするとき、前記反射率制御膜の反射率が所望の反射率となるように、ほぼn1d1+n2d2=pλ/4(pは整数)を満たす膜厚d1、d2の第1及び第2の絶縁膜を形成する。
Claim (excerpt)：
異なる屈折率を有する少なくとも2層の絶縁膜を積層して構成した反射率制御膜を有する半導体レーザ装置の製造方法であって、前記半導体レーザ装置の発光波長をλ、前記反射率制御膜を構成する第1及び第2の絶縁膜の各屈折率をn1、n2、前記第1及び第2の絶縁膜の各膜厚をd1、d2とするとき、前記反射率制御膜の反射率が所望の反射率となるように、ほぼn1d1+n2d2=pλ/4(pは整数)を満たす膜厚d1、d2の第1及び第2の絶縁膜を形成したことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
F-Term (4)：
5F073AA83 ,  5F073CB20 ,  5F073DA33 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 半導体レーザ装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-268719   Applicant：松下電子工業株式会社
  • 高出力半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-254616   Applicant：日本電気株式会社
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-009813   Applicant：松下電器産業株式会社
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