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J-GLOBAL ID：200903066038928739

半導体装置の製造方法

Inventor：
浅井 優幸

About 浅井 優幸

, 
野村 久志

About 野村 久志

, 
堀井 貞義

About 堀井 貞義


Applicant, Patent owner：
株式会社日立国際電気

About 株式会社日立国際電気


Agent (3)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002372910
Publication number (International publication number)：2004158811
Application date： Dec. 24, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：
【課題】高速アニール処理や頻繁なクリーニング処理を必要とすることなく、不純物含有量の少ないアモルファス薄膜を基板上に効率良く形成する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、成膜工程と改質工程とを備える。成膜工程では、成膜原料供給ユニット9からの成膜ガスをシャワーヘッド6より反応室1内に供給して、回転する基板4上に酸化ハフニウム膜(HfO2膜)を含むアモルファス薄膜を形成する。改質工程では、反応物活性化ユニット11で生成したラジカルを、成膜ガスを供給するのと同一のシャワーヘッド6から供給して、成膜工程において形成した膜中の不純物となる特定元素を除去する。制御装置25によって、同一反応室1内で前記成膜工程と改質工程とを連続して複数回繰り返して半導体装置を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
酸素原子と金属原子を含む原料を気化した原料ガスを用い、前記原料ガス以外には酸素原子を含むガスを用いることなく基板上に金属酸化膜を形成する成膜工程と、 前記原料ガスとは異なる反応物を用いて成膜工程において形成した金属酸化膜の改質を行う改質工程と、 を連続して複数回繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768
FI (4)：
H01L21/316 X ,  C23C16/40 ,  H01L21/90 L ,  H01L21/302 102
F-Term (27)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA15 ,  5F004AA14 ,  5F004BA03 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DB13 ,  5F004EA38 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR03 ,  5F033SS11 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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