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J-GLOBAL ID：200903066951385413

SOI基板、表示装置およびSOI基板の製造方法

Inventor：
糸賀 隆志

About 糸賀 隆志

, 
▲高▼藤 裕

About ▲高▼藤 裕


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (4)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  圓谷 徹 ,  金子 一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002299577
Publication number (International publication number)：2004134675
Application date： Oct. 11, 2002
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：
【課題】基板上のコーティング膜と単結晶シリコン薄膜の被覆膜との接着性を向上し、単結晶シリコン薄膜の接着剥がれを生じさせない。【解決手段】SOI基板1において、光透過性基板2上の酸化珪素膜3と単結晶シリコン薄膜5に形成した酸化珪素膜4とは接合している。酸化珪素膜3の表面の凹凸は、光透過性基板2の表面とのなす角度の正接が0.06以下となっていた。また、酸化珪素膜3と酸化珪素膜4とは、それぞれ水に対する接触角が10°以下であった。また、光透過性基板2に対する単結晶シリコン薄膜5の接着力は0.6N/m以上であり、単結晶シリコン薄膜5の接着剥がれを生ずることがない。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上に形成したコーティング膜と単結晶シリコン片を被覆した被覆膜とを接合した接合部を含んでおり、上記単結晶シリコン片が水素イオンの注入層にて分断されて単結晶シリコン薄膜となっているSOI基板において、 上記基板が光透過性基板であり、 上記分断が熱処理によって行われたことを特徴とするSOI基板。
IPC (7)：
H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L29/786
FI (7)：
H01L27/12 B ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/76 R ,  H01L21/76 D ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627D
F-Term (41)：
5F032AA03 ,  5F032AA06 ,  5F032AA09 ,  5F032AC02 ,  5F032DA04 ,  5F032DA43 ,  5F032DA71 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052EA15 ,  5F052FA19 ,  5F052HA01 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F052KA06 ,  5F052KB05 ,  5F052KB09 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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