Pat
J-GLOBAL ID：200903066988030968
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003404987
Publication number (International publication number)：2005167024
Application date： Dec. 03, 2003
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：
【課題】ダイシング時におけるブレードの震動に伴って発生するクラックやカケによる半導体装置の損傷を抑制し、従来よりもパッケージサイズを広げることなく高信頼性かつ高生産性を可能にする。【解決手段】パッケージ構造体50に行列状に配列されたサブ領域35間を、ダイシング領域45間における面aで切断してWCSP10に個片化するに当たり、先ず、シリコン基板12に対する切断を、レーザ光を用いた非溶融方式(あるいは、非加熱加工方式とも称する。)を用いて行う。この非溶融方式のダイシングは、シリコン基板の内部に集光させたレーザ光によって形成される改質部80が引き起こすクラック82を利用して切断する。その後、シリコン基板上の封止層42を含む部分の切断を高速回転させたブレードを用いて行う。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
回路素子及び該回路素子に接続された電極パッドが形成された中央領域及び該中央領域を囲む周辺領域を有する主表面と、該主表面と対向する裏面と、前記周辺領域において前記主表面から前記裏面へと貫通する貫通孔とを有する基板と、
前記貫通孔の内壁上に形成された絶縁膜と、
前記貫通孔内の前記絶縁膜上に設けられ、前記回路素子と電気的に接続された導電部材と、
前記主表面の上方に設けられた外部端子と、
該外部端子と前記電極パッドとの間を電気的に接続する配線部と、
前記外部端子と前記配線部との接触面を残して、前記配線部及び前記主表面上を覆う封止層と
を具えており、
前記封止層の側面は、前記基板の側面よりも内側に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L23/12
, H01L21/301
, H01L21/3205
H01L23/12 501P
, H01L21/88 T
, H01L21/78 B
, H01L21/78 L
5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033MM30
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR22
, 5F033VV07
Cited by applicant (6)
Show all
Cited by examiner (6)
Show all
Return to Previous Page
