半導体レーザ素子、半導体レーザ装置および光学式情報再生装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐々木晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000112979
Publication number (International publication number)：2001298243
Application date： Apr. 14, 2000
Publication date： Oct. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】光ピックアップ等へ応用して最適な窒化物半導体レーザ素子を提供し、また、集光特性の優れた光学式情報再生装置を実現する。【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、GaN基板と、該基板上に順次積層された下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層と、GaNコンタクト層とを備えた半導体レーザ素子であって、前記GaNコンタクト層の膜厚が、0.07μm以上80μm以下であることを特徴とする。また、本発明の光学式情報再生装置は上記半導体レーザ素子を光源として備える。

Claim (excerpt)：

GaN基板と、該基板上に順次積層された下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層と、GaNコンタクト層とを備えた半導体レーザ素子であって、前記GaNコンタクト層の膜厚が、0.07μm以上80μm以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (5)：

H01S 5/343 , G11B 7/125 , G11B 7/22 , H01S 5/022 , H01S 5/22

FI (5)：

H01S 5/343 , G11B 7/125 A , G11B 7/22 , H01S 5/022 , H01S 5/22

F-Term (14)：

5D119AA43 , 5D119FA05 , 5D119FA17 , 5D119NA04 , 5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073BA04 , 5F073CA20 , 5F073CB02 , 5F073CB07 , 5F073DA32 , 5F073EA15 , 5F073EA19 , 5F073FA21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-139495 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-076790 Applicant：株式会社東芝
窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-053428 Applicant：日亜化学工業株式会社

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