半導体レーザ

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998053353
Publication number (International publication number)：1999251685
Application date： Mar. 05, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】クラックが少なく信頼性が高く、FFPが単峰性を示し、光ディスクなどへの実用に供する低しきい値、低電圧動作を可能にする。【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体からなり、MQW活性層118をp型及びn型のAlGaNクラッド層115,121で挟んだダブルへテロ構造を有する半導体レーザにおいて、p型クラッド層121の活性層118と反対側に、クラッド層121よりも吸収率の高いp型InGaN光吸収層122が配置され、さらにそれよりも外側にp型クラッド121層よりも屈折率の低いp型InAlGaN低屈折率層124が配置されている。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系化合物半導体からなり、活性層を導電型の異なるクラッド層で挟んだダブルへテロ構造を有する半導体レーザであって、前記クラッド層のうち少なくとも一方のクラッド層の活性層と反対側に、該クラッド層よりも吸収率の高い光吸収層を複数配置、又は該光吸収層と前記クラッド層よりも屈折率の低い低屈折率層を配置してなることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-188569 Applicant：ソニー株式会社
窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-006298 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-154708 Applicant：日亜化学工業株式会社

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