Pat
J-GLOBAL ID：200903067210811985

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
舛岡 富士雄

About 舛岡 富士雄

, 
新井 紳太郎

About 新井 紳太郎


Applicant, Patent owner：
日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社

About 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社


Agent (5)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之 ,  谷口 信行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008199994
Publication number (International publication number)：2009182318
Application date： Aug. 01, 2008
Publication date： Aug. 13, 2009
Summary：
【課題】縦型MOSトランジスタの小型化、それに伴い増加する寄生抵抗、寄生容量の低減。【解決手段】基板と、基板上の絶縁膜と、基板上の絶縁膜上に形成された平面状半導体層と、平面状半導体層に形成される第1のドレイン/ソース領域、平面状半導体層上に形成される柱状半導体層、柱状半導体層上部に形成される第2のソース/ドレイン領域、及び柱状半導体層の側壁を包囲するように絶縁膜を介して形成されるゲート電極を含む第1及び第2のMOSトランジスタとを備える半導体装置において、第1又は第2のMOSトランジスタの第2のソース/ドレイン領域の上面の面積は、第1又は第2のMOSトランジスタの柱状半導体層のそれぞれの上面の面積よりも大きく、第1のMOSトランジスタの第1のドレイン/ソース領域の表面の少なくとも一部と第2のMOSトランジスタの第1のドレイン/ソース領域の表面の少なくとも一部とを接続するシリサイド層が形成される。【選択図】図116
Claim (excerpt)：
第1のMOSトランジスタのドレイン又はソースのいずれかと、第2のMOSトランジスタのドレイン又はソースのいずれかが接続される回路を備えた半導体装置であって、 基板と、 前記基板上の絶縁膜と、 前記基板上の絶縁膜上に形成された平面状半導体層と、 を備え、 前記第1のMOSトランジスタは、前記平面状半導体層に形成される第1のドレイン又はソース領域、該平面状半導体層上に形成される第1の柱状半導体層、該第1の柱状半導体層上面上部に形成される第2のソース又はドレイン領域、及び該第1の柱状半導体層の側壁を包囲するように第1の絶縁膜を介して形成される第1のゲート電極を含み、 前記第2のMOSトランジスタは、前記平面状半導体層に形成される第3のドレイン又はソース領域、該平面状半導体層上に形成される第2の柱状半導体層、該第2の柱状半導体層上面上部に形成される第4のソース又はドレイン領域、及び該第2の柱状半導体層の側壁を包囲するように第2の絶縁膜を介して形成される第2のゲート電極を含み、 前記第2のソース又はドレイン領域、又は前記第4のソース又はドレイン領域の上面の面積は、前記第1の柱状半導体層、又は第2の柱状半導体層のそれぞれの上面の面積よりも大きく、 前記第1のドレイン又はソース領域の表面の少なくとも一部と前記第3のドレイン又はソース領域の表面の少なくとも一部とを接続する第1のシリサイド層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (11)：
H01L 29/786 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 27/088
FI (18)：
H01L29/78 626A ,  H01L29/78 656A ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 613Z ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321F ,  H01L27/08 321G ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 653D ,  H01L21/28 301D ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L27/08 102D ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/08 311A
F-Term (111)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF06 ,  4M104FF11 ,  4M104FF14 ,  4M104FF17 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F048AA00 ,  5F048AA01 ,  5F048AA08 ,  5F048AA09 ,  5F048AB04 ,  5F048AC02 ,  5F048AC03 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BB20 ,  5F048BC01 ,  5F048BC11 ,  5F048BC15 ,  5F048BD00 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BD07 ,  5F048BD09 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BF19 ,  5F048BG02 ,  5F048BG03 ,  5F048BG07 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F110AA02 ,  5F110AA04 ,  5F110BB04 ,  5F110CC09 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE24 ,  5F110EE36 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM