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J-GLOBAL ID：200903041788101248

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 竹内 潔 ,  羽根 正巳
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (3)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005115998
Publication number (International publication number)：2006294995
Application date： Apr. 13, 2005
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：

【課題】ゲート電極オフ時のドレイン電流を抑えながら、ゲート電極オン時の駆動電流を向上した電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】半導体基体と、この半導体基体上に設けられたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜を介して当該半導体基体上に設けられたゲート電極と、この半導体基体のゲート電極両側に設けられたソース領域およびドレイン領域を有する電界効果トランジスタにおいて、ソース領域の、チャネル形成領域を挟んでドレイン領域と対面する部分の面積を、ドレイン領域の、チャネル形成領域を挟んでソース領域と対面する部分の面積より小さくする。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

半導体基体と、この半導体基体上に設けられたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜を介して当該半導体基体上に設けられたゲート電極と、この半導体基体のゲート電極両側に設けられたソース領域およびドレイン領域を有する電界効果トランジスタであって、 ソース領域の、チャネル形成領域を挟んでドレイン領域と対面する部分の面積が、 ドレイン領域の、チャネル形成領域を挟んでソース領域と対面する部分の面積より小さいことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823 ,  H01L 21/336

FI (8)：

H01L29/78 618C ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 301X ,  H01L27/08 102A ,  H01L29/78 301Y ,  H01L29/78 301H ,  H01L29/78 626A ,  H01L27/08 102B

F-Term (126)：

5F048AA08 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB02 ,  5F048BB05 ,  5F048BC02 ,  5F048BC06 ,  5F048BD02 ,  5F048BD04 ,  5F048BD06 ,  5F048BD07 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048CB07 ,  5F048DA23 ,  5F110AA05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC09 ,  5F110CC10 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE24 ,  5F110EE29 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110EE38 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA00 ,  5F140AA24 ,  5F140AA29 ,  5F140AB03 ,  5F140AB04 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BB01 ,  5F140BB04 ,  5F140BB05 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF17 ,  5F140BF18 ,  5F140BF44 ,  5F140BF45 ,  5F140BF47 ,  5F140BF51 ,  5F140BF54 ,  5F140BF60 ,  5F140BG08 ,  5F140BH04 ,  5F140BH05 ,  5F140BH15 ,  5F140BH30 ,  5F140BH47 ,  5F140BH49 ,  5F140BH50 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK13 ,  5F140BK29 ,  5F140BK30 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CA03 ,  5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-097049   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (10)

• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-124414   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-160597   Applicant：沖電気工業株式会社
• 基板評価用素子、その製造方法及びSOI基板の評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-163653   Applicant：三菱住友シリコン株式会社
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-097049   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-327754   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-370035   Applicant：株式会社東芝
• 縦型薄膜半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-105022   Applicant：ティーディーケイ株式会社, 株式会社半導体エネルギー研究所
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-331351   Applicant：古河電気工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-345632   Applicant：株式会社東芝
• 特開平3-060076