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J-GLOBAL ID：200903067305612149

位置ずれ計測マーク及び位置ずれ計測方法

Inventor： 横田 和樹
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998306777
Publication number (International publication number)：2000133576
Application date： Oct. 28, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体製造工程のリソグラフィー工程において、露光に使用されるステッパーのレンズ収差に起因する下層回路パターンと上層レジストパターンとの位置ずれ量を正確に計測する。【解決手段】 下層回路パターンと上層レジストパターンとの位置ずれを、集積回路内部に配置されているパターン相当の微細パターンにより構成された位置ずれ計測マークX1,Y1,X2,Y2を用いて計測する。位置ずれ計測マークとしては、回路パターン相当のラインアンドスペースパターンからなるものを好適に使用することができる。

Claim (excerpt)：

半導体製造工程のリソグラフィー工程において下層回路パターンと上層レジストパターンとの位置ずれを計測するためのマークであって、集積回路内部に配置されているパターン相当の微細パターンにより構成されていることを特徴とする位置ずれ計測マーク。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 9/00

FI (3)：

H01L 21/30 522 B ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 525 W

F-Term (9)：

5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046EA03 ,  5F046EA04 ,  5F046EA09 ,  5F046EB01 ,  5F046EB02 ,  5F046EC05 ,  5F046FA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 半導体装置の重ね合わせ精度測定マークの構成およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-309087   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体処理及びその改良
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-359605   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• アライメント・マークの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-035947   Applicant：富士通株式会社
• ステッパの位置合せおよび解像度測定用バーニアを有するホトマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068174   Applicant：ヒュンダイエレクトロニクスインダストリイズカンパニーリミテッド
• 半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-159753   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平3-287001
  
• 半導体集積回路装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-137586   Applicant：株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 位置ずれ検査方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-245237   Applicant：九州日本電気株式会社