面発光半導体レーザの製造方法および電子素子の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：森幸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005139196
Publication number (International publication number)：2005347743
Application date： May. 12, 2005
Publication date： Dec. 15, 2005
Summary：

【課題】シングル横モード様の単峰性ビームでのレーザ発振が可能な面発光半導体レーザを容易にしかも高い歩留まりで製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】 n型半導体基板11上にポスト型メサ構造の面発光半導体レーザを製造する場合に、メサ部を形成し、p側電極20およびn側電極23まで形成した後、p側電極20およびn側電極23間に電圧を印加して出力光を取り出しながら面発光半導体レーザを水蒸気雰囲気に晒すことにより、p型DBR層17の最上層のp型Alw Ga1-w As層17bにAl酸化層21を形成し、凹レンズ様の屈折率分布を形成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1の反射層と、上記第1の反射層上の活性層と、上記活性層上の第2の反射層とを有し、上記第2の反射層から出力光を取り出す面発光半導体レーザの製造方法において、所定の強度分布を有する光を照射しながら酸化を行うことにより上記第2の反射層上に酸化層を形成するようにしたことを特徴とする面発光半導体レーザの製造方法。

IPC (6)：

H01S5/183 , H01L21/316 , H01L21/338 , H01L21/76 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (4)：

H01S5/183 , H01L21/94 A , H01L21/76 M , H01L29/80 H

F-Term (39)：

4M108AB04 , 4M108AC01 , 4M108AC21 , 4M108AC26 , 4M108AD02 , 4M108AD05 , 4M108AD12 , 5F032AA13 , 5F032CA05 , 5F032CA10 , 5F032CA16 , 5F032DA53 , 5F102FA08 , 5F102GA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GJ05 , 5F102GL05 , 5F102GM06 , 5F102HC00 , 5F102HC01 , 5F173AC03 , 5F173AC13 , 5F173AC35 , 5F173AC42 , 5F173AC52 , 5F173AH03 , 5F173AL06 , 5F173AL14 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AP45 , 5F173AP67 , 5F173AP73 , 5F173AR33 , 5F173AR55 , 5F173AR64 , 5F173AR66 , 5F173AR93

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

面発光半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-348101 Applicant：古河電気工業株式会社
面発光半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-049909 Applicant：松下電子工業株式会社

Cited by examiner (4)

光学素子、それを使用した面発光レーザ装置及び端面発光型半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-027519 Applicant：日本電気株式会社
Alを含む半導体材料からなるレンズ、それを用いた面型光素子及び、レンズの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-317530 Applicant：キヤノン株式会社
紫外発光体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-246600 Applicant：科学技術振興事業団

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