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J-GLOBAL ID：200903067699788883

MOCVD装置およびMOCVD法

Inventor：
田中 伸昌

About 田中 伸昌


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006270710
Publication number (International publication number)：2008091617
Application date： Oct. 02, 2006
Publication date： Apr. 17, 2008
Summary：
【課題】ガス導入部への反応生成物の付着を抑制することができるとともに、基板の表面における原料ガスの気相反応の均一性を向上することができるMOCVD装置およびMOCVD法を提供する。【解決手段】成長室と、少なくともIII族系ガスとV族系ガスと不活性ガスとを成長室に導入するためのガス導入部と、を備え、ガス導入部は、III族系ガスを導入するためのIII族系ガス導入孔と、V族系ガスを導入するためのV族系ガス導入孔と、不活性ガスを導入するための不活性ガス導入孔と、を有し、不活性ガス導入孔は、III族系ガス導入孔とV族系ガス導入孔との間に配置され、不活性ガスの導入量をIII族系ガスの導入量およびV族系ガスの導入量の少なくとも一方よりも少なくするための制御部を備えたMOCVD装置とその装置を用いたMOCVD法である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
成長室と、少なくともIII族元素を含むIII族系ガスとV族元素を含むV族系ガスと不活性ガスとを前記成長室に導入するためのガス導入部と、を備え、 前記ガス導入部は、III族系ガスを導入するためのIII族系ガス導入孔と、V族系ガスを導入するためのV族系ガス導入孔と、不活性ガスを導入するための不活性ガス導入孔と、を有し、 前記不活性ガス導入孔は、前記III族系ガス導入孔と前記V族系ガス導入孔との間に配置されており、 前記不活性ガス導入孔から導入される不活性ガスの導入量を前記III族系ガス導入孔から導入されるIII族系ガスの導入量および前記V族系ガス導入孔から導入されるV族系ガスの導入量の少なくとも一方よりも少なくするための制御部を備えた、MOCVD装置。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
FI (2)：
H01L21/205 ,  C23C16/455
F-Term (24)：
4K030AA05 ,  4K030AA08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA55 ,  4K030BA56 ,  4K030EA06 ,  4K030JA05 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045BB02 ,  5F045BB15 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE12 ,  5F045EE14 ,  5F045EE17 ,  5F045EF05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (5)
  • シャワーヘッド構造及びこれを用いた成膜装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-363448   Applicant：東京エレクトロン株式会社
  • 特開平2-126632
  • プラズマCVD装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-332571   Applicant：日本電気株式会社
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