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J-GLOBAL ID:200903067814398601

CMOS集積回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004221515
Publication number (International publication number):2006041339
Application date: Jul. 29, 2004
Publication date: Feb. 09, 2006
Summary:
【課題】CMOS集積回路を構成するMOSトランジスタに於ける閾値電圧Vthを変化させる手段として、チャネルドーピングを用いることなく、ゲート電極の仕事関数を変えることで実現し、多様な機能をもつシステムLSIであっても容易に実現できるようにする。【解決手段】各々が仕事関数を異にするゲート電極3A、3B、3C、3Dをもつ3種類以上のMOSトランジスタで構成されてなることが基本になっている。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
各々が仕事関数を異にするゲート電極をもつ3種類以上のMOSトランジスタで構成されてなること を特徴とするCMOS集積回路。
IPC (5):
H01L 27/092 ,  H01L 21/823 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 27/088
FI (3):
H01L27/08 321D ,  H01L29/58 G ,  H01L27/08 102C
F-Term (33):
4M104AA01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104DD83 ,  4M104DD88 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BB18 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • CMOS半導体素子およびその形成方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-182673   Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
  • トランジスタ作製方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2000-049739   Applicant:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
Cited by examiner (5)
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