Pat
J-GLOBAL ID:200903067814398601
CMOS集積回路
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
眞鍋 潔
, 柏谷 昭司
, 渡邊 弘一
, 伊藤 壽郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004221515
Publication number (International publication number):2006041339
Application date: Jul. 29, 2004
Publication date: Feb. 09, 2006
Summary:
【課題】CMOS集積回路を構成するMOSトランジスタに於ける閾値電圧Vthを変化させる手段として、チャネルドーピングを用いることなく、ゲート電極の仕事関数を変えることで実現し、多様な機能をもつシステムLSIであっても容易に実現できるようにする。【解決手段】各々が仕事関数を異にするゲート電極3A、3B、3C、3Dをもつ3種類以上のMOSトランジスタで構成されてなることが基本になっている。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
各々が仕事関数を異にするゲート電極をもつ3種類以上のMOSトランジスタで構成されてなること
を特徴とするCMOS集積回路。
IPC (5):
H01L 27/092
, H01L 21/823
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, H01L 27/088
FI (3):
H01L27/08 321D
, H01L29/58 G
, H01L27/08 102C
F-Term (33):
4M104AA01
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB39
, 4M104CC05
, 4M104DD03
, 4M104DD75
, 4M104DD78
, 4M104DD81
, 4M104DD83
, 4M104DD88
, 4M104FF13
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH20
, 5F048AA07
, 5F048AC01
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BB01
, 5F048BB09
, 5F048BB10
, 5F048BB12
, 5F048BB14
, 5F048BB18
, 5F048BC06
, 5F048BE03
, 5F048BG13
, 5F048DA23
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
CMOS半導体素子およびその形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-182673
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
-
トランジスタ作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-049739
Applicant:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
Cited by examiner (5)
-
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-087505
Applicant:株式会社東芝
-
半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-375358
Applicant:株式会社ハイニックスセミコンダクター
-
半導体装置の製法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-242059
Applicant:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
-
CMOS半導体素子およびその形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-182673
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-031927
Applicant:ソニー株式会社
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