化学増幅型ポジ型レジスト組成物

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：棚井澄雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001347737
Publication number (International publication number)：2003149814
Application date： Nov. 13, 2001
Publication date： May. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】ビアファーストのデュアルダマシン法により半導体デバイスを製造する場合に、レジスト残りを生じず、かつ断面形状に優れるレジストパターンを与えることができる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)水酸基の水素原子の少なくとも一部が、直鎖状または分岐状の低級アルコキシアルキル基で置換され、該低級アルコキシアルキル基が酸の作用により脱離し、アルカリへの溶解性が増大するポリヒドロキシスチレン、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、(A)成分の低級アルコキシアルキル基として、互いに異なる2種以上が用いられている化学増幅型ポジ型レジスト組成物。

Claim (excerpt)：

次の成分(A)及び(B)、(A)水酸基の水素原子の少なくとも一部が、直鎖状または分岐状の低級アルコキシアルキル基で置換され、該低級アルコキシアルキル基が酸の作用により脱離し、アルカリへの溶解性が増大するポリヒドロキシスチレン(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、前記(A)成分の低級アルコキシアルキル基として、互いに異なる2種以上が用いられていることを特徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成物。

IPC (2)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (14)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-091041 Applicant：信越化学工業株式会社
化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-195615 Applicant：信越化学工業株式会社
ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-074097 Applicant：東京応化工業株式会社

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