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J-GLOBAL ID：200903003739101675

パターン形成方法

Inventor：
畠山 潤

About 畠山 潤

, 
名倉 茂広

About 名倉 茂広


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998091041
Publication number (International publication number)：1998326017
Application date： Mar. 19, 1998
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：
【要約】 (修正有)【解決手段】 化学増幅ポジ型レジスト材料を基板上に均一の厚さに塗布してレジスト膜を形成し、レジスト膜を露光し、ポストエクスポージャーベークした後、現像液にて現像して、ポジ型パターンを形成するに際し、ベースポリマーとして、互いに異なる酸不安定基を有する2種以上のベースポリマーの混合物又は一分子中に互いに異なる酸不安定基を2種以上有するベースポリマーを使用すると共に、上記互いに異なる酸不安定基の種類及びベースポリマー中の含有量を調整することにより、レジスト膜表面から基板方向へ500Åまでの溶解速度の平均が100Å/sec.になる露光量E1と、基板表面からレジスト膜表面方向へ1000Åの溶解速度の平均が100Å/sec.になる露光量E2とが、-0.2<(E2-E1)/E2<0.2となるように調整した。【効果】 解像力及び焦点深度が高いパターンを形成することができる。
Claim (excerpt)：
酸によって脱離する酸不安定基を有するベースポリマーと酸発生剤と有機溶剤とを含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を基板上に均一の厚さに塗布してレジスト膜を形成し、レジスト膜を露光し、ポストエクスポージャーベークした後、現像液にて現像して、ポジ型パターンを形成するに際し、ベースポリマーとして、互いに異なる酸不安定基を有する2種以上のベースポリマーの混合物又は一分子中に互いに異なる酸不安定基を2種以上有するベースポリマーを使用すると共に、上記互いに異なる酸不安定基の種類及びベースポリマー中の含有量を調整することにより、上記化学増幅ポジ型レジスト材料を基板上に均一な厚さに塗布してレジスト膜を形成し、ポストエクスポージャーベークした後、このレジスト膜を現像液にて溶解したとき、上記レジスト膜表面から基板方向へ500Åまでの溶解速度の平均が100Å/sec.になる露光量E1と、基板表面からレジスト膜表面方向へ1000Åの溶解速度の平均が100Å/sec.になる露光量E2とが、-0.2<(E2-E1)/E2<0.2となるように調整したことを特徴とする上記化学増幅ポジ型レジスト材料におけるパターン形成方法。
IPC (4)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027
FI (4)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (16)
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