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J-GLOBAL ID：200903068132637163
フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および、半導体素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999240594
Publication number (International publication number)：2000302785
Application date： Aug. 26, 1999
Publication date： Oct. 31, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】優れたエッチング耐性、耐熱性、および接着性は勿論高集積回路形成が可能なフォトレジストに適する新規のフォトレジスト単量体及びフォトレジスト共重合体とそれらの製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法及び半導体素子を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で示される新規のフォトレジスト単量体、フォトレジスト共重合体およびフォトレジスト組成物。フォトレジスト単量体の具体的一例を示すと、下式の化合物になる。
Claim (excerpt)：
下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト単量体。【化1】(式中、XおよびYはそれぞれ酸素、硫黄、CH2、CH2CH2であり、nは0以上5以下の所定の定数であり、R1、R2、R3、およびR4はそれぞれ、水素、炭素数1〜10の側鎖或いは主鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の側鎖或いは主鎖置換されたエステル、炭素数1〜10の側鎖或いは主鎖置換されたケトン、炭素数1〜10の側鎖或いは主鎖置換されたカルボン酸、炭素数1〜10の側鎖或いは主鎖置換されたアセタール、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖或いは主鎖置換されたアルキル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖或いは主鎖置換されたエステル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖或いは主鎖置換されたケトン、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖或いは主鎖置換されたカルボン酸、または一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖或いは主鎖置換されたアセタールであり、前記R1〜R4のうちいずれか一つ以上は-COO-R'-OHの構造を有するものであり、ここで、R'は直鎖または側鎖置換されたアルキルである。)
IPC (14)：
C07D495/08
, C07D493/08
, C08F 2/06
, C08F 4/04
, C08F 4/34
, C08F222/06
, C08F222/40
, C08F232/00
, C08F234/00
, C08K 5/00
, C08L 35/00
, C08L 45/00
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
C07D495/08
, C07D493/08 A
, C08F 2/06
, C08F 4/04
, C08F 4/34
, C08F222/06
, C08F222/40
, C08F232/00
, C08F234/00
, C08K 5/00
, C08L 35/00
, C08L 45/00
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
Cited by examiner (7)
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