半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤巻正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002072958
Publication number (International publication number)：2003273350
Application date： Mar. 15, 2002
Publication date： Sep. 26, 2003
Summary：

【要約】【課題】 N型MISFET及びP型MISFETの双方のしきい値電圧が低く、製造が容易で製造コストが低くて歩留が高く、ゲート絶縁膜の信頼性が高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1の表面におけるN型MISFET形成領域11及びP型MISFET形成領域12にゲート絶縁膜3を設け、その上にメタルゲート電極4及び5を設ける。メタルゲート電極4はTiCoN膜により形成し、その仕事関数はN型MISFETのゲート電極材料に適した4.0〜4.8eVとする。また、メタルゲート電極5は、メタルゲート電極4を形成するTiCoN膜に酸素を1013乃至1014(個/cm2)イオン注入して、その仕事関数を0.2乃至0.8eV程度高くした部分により形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁ゲート電界効果トランジスタを有する半導体装置において、前記絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極は、金属、合金又は金属窒化物の膜に、酸素又はフッ素が添加されたものにより形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (4)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P , H01L 27/08 321 D , H01L 29/58 G

F-Term (77)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB29 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD26 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD66 , 4M104EE03 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104HH20 , 5F048AA00 , 5F048AA07 , 5F048AA09 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BB14 , 5F048BC06 , 5F048BG14 , 5F048DA27 , 5F140AA06 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BE06 , 5F140BF01 , 5F140BF06 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF30 , 5F140BF33 , 5F140BF34 , 5F140BF38 , 5F140BG03 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG11 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG36 , 5F140BG40 , 5F140BG43 , 5F140BG51 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BH49 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB01 , 5F140CB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

MIS型電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-041727 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-234718 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
相補MIS型半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-026662 Applicant：日本電気株式会社

CMOSデバイスのゲート電極の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-287645 Applicant：ヒュンダイエレクトロニクスインダストリイズカンパニーリミテッド

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-124405 Applicant：株式会社東芝

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-087651 Applicant：株式会社東芝

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-313407 Applicant：株式会社東芝

内線電話転送システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-339367 Applicant：株式会社メガチップス

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-245020 Applicant：富士通株式会社

MOSトランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-155333 Applicant：日本電気株式会社

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-112222 Applicant：セイコーエプソン株式会社, 大見忠弘

CMOS半導体素子およびその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-182673 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

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