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J-GLOBAL ID：200903068897953535

炭化ケイ素単結晶並びにその製造方法及び製造装置

Inventor：
丸山 隆之

About 丸山 隆之

, 
遠藤 茂樹

About 遠藤 茂樹


Applicant, Patent owner：
株式会社ブリヂストン

About 株式会社ブリヂストン


Agent (1)： 廣田 浩一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001111374
Publication number (International publication number)：2002255693
Application date： Apr. 10, 2001
Publication date： Sep. 11, 2002
Summary：
【要約】【課題】 絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶を割れ等がない状態で大口径に効率よく製造し得る方法の提供。【解決手段】 黒鉛製坩堝10内の容器本体12側に昇華用原料40を収容し、黒鉛製坩堝10の蓋体11側に炭化ケイ素単結晶の種結晶を配置し、昇華用原料40側に配置した第一誘導加熱コイル21により、昇華用原料40を昇華させ、蓋体11側に配置した第二誘導加熱コイル20により、第一誘導加熱コイル21により昇華された昇華用原料40が炭化ケイ素単結晶の種結晶近傍でのみ再結晶可能となるように再結晶雰囲気を形成し、昇華用原料40を炭化ケイ素単結晶の種結晶上に再結晶させ、炭化ケイ素単結晶60を、その全成長過程を通してその成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法である。
Claim (excerpt)：
昇華させた昇華用原料を再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、前記炭化ケイ素単結晶を、その全成長過程を通して、その成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。
IPC (2)：
C30B 29/36 ,  H01L 21/20
FI (2)：
C30B 29/36 A ,  H01L 21/20
F-Term (13)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EG16 ,  4G077EG18 ,  4G077SA01 ,  4G077SA08 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052CA04 ,  5F052JA07 ,  5F052KA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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