荷電ビーム露光方法およびマスク

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：永井冬紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997008443
Publication number (International publication number)：1998209008
Application date： Jan. 21, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】従来より高精度な露光を行うことができる荷電ビーム露光方法およびマスクの提供。【解決手段】マスク1のパターン領域1aに歪み測定用マークが形成された小領域3を複数設け、それらのマークの位置を計測してマスク1の歪みを求め、その歪みに基づいてウエハ4に投影されるパターン像を補正して露光する。その結果、露光時のマスクに歪みが有っても高精度なパターン露光を行うことができる。小領域3をパターン領域1aの周辺部に配置したり、パターン領域1aの全体に小領域2と混在するように配置したりしてもよい。

Claim (excerpt)：

マスクに形成されたパターンを荷電ビームにより感応基板に投影露光する荷電ビーム露光方法において、前記マスクに設けられた複数の歪み計測用マークの位置をそれぞれ計測し、それらの計測値に基づいて前記感応基板に投影されるべきパターン像を補正して露光することを特徴とする荷電ビーム露光方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G03F 1/16 , G03F 7/20 504

FI (4)：

H01L 21/30 541 E , G03F 1/16 B , G03F 7/20 504 , H01L 21/30 541 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

荷電粒子線転写方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-157345 Applicant：株式会社ニコン
特開昭61-283121
X線露光用マスク及びそれを用いた半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-266292 Applicant：キヤノン株式会社

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