Pat

J-GLOBAL ID：200903068988962421

電子放出素子及びその製造方法

Inventor： 永野 孝幸 ,  谷 由加里 ,  柴田 典義
Applicant, Patent owner： 財団法人ファインセラミックスセンター
Agent (1)： 小島 清路 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002098016
Publication number (International publication number)：2003297222
Application date： Mar. 29, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 低電圧で高効率の電子放出性を有する冷陰極型電子放出素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の電子放出素子1は、基材を切削加工することにより基部11と突起部12を形成し、この突起部上にカーボンナノチューブ123を形成してなる。その製造方法は、基部上に形成される突起部を炭化珪素で作成し、或いは、この突起部に炭化珪素膜を形成し、この炭化珪素を、真空中あるいは微量酸素を含有する雰囲気において炭化珪素表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、この炭化珪素から珪素原子を除去する。

Claim (excerpt)：

導電性基材を切削加工することにより、導電性基部上に多数の導電性突起部を形成してなることを特徴とする電子放出素子。

IPC (2)：

H01J 1/304 ,  H01J 9/02

FI (2)：

H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 F

F-Term (22)：

5C127AA01 ,  5C127AA02 ,  5C127AA20 ,  5C127BA05 ,  5C127BA06 ,  5C127BA13 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127BB15 ,  5C127CC03 ,  5C127DD62 ,  5C127DD69 ,  5C127EE02 ,  5C135AA05 ,  5C135AA06 ,  5C135AA13 ,  5C135AA15 ,  5C135AA20 ,  5C135AB07 ,  5C135AB15 ,  5C135AC02 ,  5C135HH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 電界放出型冷陰極及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-089369   Applicant：株式会社東芝
• 電子銃及びその製造方法並びにフィールドエミッションディスプレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-245033   Applicant：株式会社ケイアンドティ
• 電界電子放出装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-058862   Applicant：株式会社ノリタケカンパニーリミテド, 財団法人ファインセラミックスセンター
• カーボンナノチューブ及びカーボンナノチューブ膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-087518   Applicant：財団法人ファインセラミックスセンター
• カーボンナノチューブの製造方法およびカーボンナノチューブ膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-225487   Applicant：株式会社東芝