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J-GLOBAL ID：200903069370204077
積層体およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008052953
Publication number (International publication number)：2009190960
Application date： Mar. 04, 2008
Publication date： Aug. 27, 2009
Summary：
【課題】 紫外発光素子などの半導体素子を形成するために好適に使用できるAlNなどのIII族窒化物単結晶自立基板であって、結晶面の曲率半径が大きなAl系III族窒化物単結晶自立基板を提供する。 【解決手段】 サファイアなどの不活性ガス中800°Cにおいて実質的に分解しない無機物質であって、800〜1600°Cで水素ガスなどの還元性ガスと接触することにより分解して揮発性物質を生成する無機物質の単結晶からなるベース基板上に、厚さ3〜200nmのAl系III族窒化物単結晶薄膜層を形成した後に、アンモニアガスを含む還元性ガス雰囲気中800〜1600°Cで加熱処理することにより、得られた積層基板のベース基板とAl系III族窒化物単結晶薄膜層との界面に空隙を形成し、次いで上記Al系III族窒化物単結晶薄膜層上にIII族窒化物単結晶厚膜を形成し、これを分離することにより自立基板を得る。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
不活性ガス中800°Cにおいて実質的に分解しない無機物質であって、800〜1600°Cで還元性ガスと接触することにより分解して揮発性物質を生成する無機物質の単結晶からなるベース基板上に、単結晶Al系III族窒化物、又は単結晶Al系III族窒化物と非晶質Al系III族窒化物との混合物からなる厚さ3〜200nmのAl系III族窒化物薄膜層が形成された積層構造を含む積層体であって、該積層体の前記ベース基板と前記Al系III族窒化物薄膜層との界面に複数の空隙を有することを特徴とする積層体。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (23)：
4G077AA02
, 4G077AB03
, 4G077AB04
, 4G077BE13
, 4G077DB04
, 4G077EA02
, 4G077ED06
, 4G077EH06
, 4G077FJ03
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA01
, 4G077TA04
, 4G077TA07
, 4G077TA08
, 4G077TB02
, 4G077TC06
, 4G077TC14
, 4G077TC17
, 4G077TJ03
, 4G077TK01
, 4G077TK11
Cited by applicant (5)
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アルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法並びに製造装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2005-111934
Applicant：株式会社トクヤマ
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窒化アルミニウム積層基板
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2004-252501
Applicant：株式会社トクヤマ
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特許第3581145号
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Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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