窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997041922
Publication number (International publication number)：1998242578
Application date： Feb. 26, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】高発光効率の窒化ガリウム系半導体レーザを提供する。【解決手段】有機金属気相成長法により、サファイア基板1上に、窒化ガリウム系半導体レーザ構造2〜9を堆積する。レーザ構造を、水素ガスを含むプラズマ雰囲気中でエッチングし、電流共窄用のリッジ及びレーザ共振器端面を作製する。次に、レーザ構造を1気圧の窒素雰囲気中で30分熱処理する。この熱処理により、エッチング工程でp型不純物が水素原子により不活性化した領域を活性化でき、リーク電流のない高発光効率の窒化ガリウム系半導体レーザを製造することができる。

Claim (excerpt)：

発光素子構造となる窒化ガリウム系半導体多層膜を成長する工程と、前記半導体多層膜を水素原子を含むプラズマ中でエッチングして発光素子構造とする工程と、前記発光素子構造を熱処理する工程とを含む窒化ガリウム系発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体発光素子の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-187341 Applicant：ローム株式会社
発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-064199 Applicant：古河電気工業株式会社
半導体発光素子およびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-218551 Applicant：ローム株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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