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J-GLOBAL ID：200903069632722945

真空部品用材料、真空部品、真空装置、真空部品用材料の製造方法、真空部品の処理方法及び真空装置の処理方法

Inventor：
渡辺 文夫

About 渡辺 文夫


Applicant, Patent owner：
有限会社真空実験室

About 有限会社真空実験室


Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004165775
Publication number (International publication number)：2006009038
Application date： Jun. 03, 2004
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：
【課題】 10-12Pa(H2)・m/sより低い真空部品からのガス放出率を達成することが可能な真空部品用材料の製造方法を提供すること。【解決手段】 Cuと添加元素の合金の周囲を減圧する工程と、合金を昇温し、合金中から水素を排出するとともに、添加元素を合金の表面近傍に集めて析出する工程と、合金の温度を、水素を排出するため昇温した合金の温度以下で、室温以上の範囲に保ち、酸素単体、窒素単体、酸素+窒素の混合ガス、オゾン(O3)、酸素含有化合物、窒素含有化合物、或いは酸素窒素含有化合物に、又はこれらを組み合わせたものに、又はそれらのプラズマに合金を曝し、析出した添加元素と反応させて添加元素の酸化膜、窒化膜又は酸化窒化膜のうち何れか一を合金の表層に形成する工程とを有する。【選択図】 図11
Claim (excerpt)：
Cuと、添加元素であるBe、B、Mg、Al、Si、Ti及びVのうち少なくとも何れか一との合金からなる基材の表面に前記添加元素の酸化膜、窒化膜又は酸化窒化膜のうち何れか一を被覆したことを特徴とする真空部品用材料。
IPC (6)：
C23C 8/12 ,  C22C 9/00 ,  C23C 8/20 ,  C23C 8/24 ,  C23C 8/28 ,  C23C 8/36
FI (6)：
C23C8/12 ,  C22C9/00 ,  C23C8/20 ,  C23C8/24 ,  C23C8/28 ,  C23C8/36
F-Term (7)：
4K028AA01 ,  4K028AA02 ,  4K028AB02 ,  4K028BA02 ,  4K028BA03 ,  4K028BA05 ,  4K028BA13
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (15)
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Cited by examiner (15)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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