Pat

J-GLOBAL ID：200903069732097533

半導体発光素子

Inventor： 上村 信行 ,  長谷川 義晃 ,  石橋 明彦 ,  原 義博 ,  木戸口 勲 ,  粂 雅博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997109114
Publication number (International publication number)：1998303506
Application date： Apr. 25, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体発光素子の動作電圧を低減できるようにする。【解決手段】 面方位が(0001)のサファイアよりなる基板11上には、上部に段差部を有するn型GaN層13が形成されている。n型GaN層13上における段差部の上段側には、活性層16bを含む多重量子井戸層16と、p型Al0.1 Ga0.9 Nよりなるp型クラッド層18と、p型GaN0.95P0.05よりなるコンタクト層20と、断面T字形で且つその脚部が酸化シリコンよりなる電流狭さく層21に囲まれたNiよりなる第1の金属膜22a及び該第1の金属膜22aの上にAuよりなる第2の金属膜22bが積層されてなる陽電極22とが形成されている。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成され、窒素を含むIII -V族化合物よりなる第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層の上に形成され、窒素を含むIII -V族化合物よりなる活性層と、前記活性層の上に形成され、窒素を含むIII -V族化合物よりなる第2導電型の第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層の上に形成され、リン及び窒素又はヒ素及び窒素を含むIII -V族化合物よりなる第2導電型のコンタクト層と、前記コンタクト層の上に形成された電極とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-025587   Applicant：昭和電工株式会社
• 半導体装置および半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-120281   Applicant：三洋電機株式会社
• コンタクト抵抗低減層を有する半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-281958   Applicant：三菱化学株式会社
• コンタクト抵抗低減層を有する半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-281959   Applicant：三菱化学株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-239309   Applicant：日本電気株式会社