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J-GLOBAL ID：200903069877423811

カーボンナノチューブと高分子を用いた電子放出源およびその製法

Inventor：
伊東 栄次

About 伊東 栄次

, 
宮入 圭一

About 宮入 圭一


Applicant, Patent owner：
信州大学長

About 信州大学長


Agent (1)： アイアット国際特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004092829
Publication number (International publication number)：2005285344
Application date： Mar. 26, 2004
Publication date： Oct. 13, 2005
Summary：
【課題】 電子放出に要する電圧がより低い、カーボンナノチューブと高分子を用いた電子放出源を得る。【解決手段】 電界放出により電子を放出させる電子放出源の製法であって、導電性高分子とカーボンナノチューブとを含む溶液に、電源に接続された陽極と陰極とを挿入し、陰極に、導電性高分子とカーボンナノチューブとを堆積させるカーボンナノチューブと高分子を用いた電子放出源の製法を採用する。かかる製法の採用により、導電性高分子中にカーボンナノチューブが分散した膜を得ることができる。製造過程において、カーボンナノチューブは、その長さ方向を陰極に向けて堆積しやすくなる。このため、カーボンナノチューブが導電性高分子の膜に垂直に立設した形態の膜を得ることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
電界放出により電子を放出させる電子放出源を製造する方法であって、 導電性高分子とカーボンナノチューブとを含む溶液に、電源に接続された陽極と陰極とを挿入し、陰極に、導電性高分子とカーボンナノチューブとを堆積させることを特徴とする、カーボンナノチューブと高分子を用いた電子放出源の製法。
IPC (5)：
H01J9/02 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04
FI (5)：
H01J9/02 B ,  B82B3/00 ,  C01B31/02 101F ,  H01J29/04 ,  H01J1/30 F
F-Term (23)：
4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AD29 ,  4G146BA04 ,  4G146BA49 ,  4G146BB04 ,  4G146CB17 ,  4G146CB22 ,  5C031DD17 ,  5C031DD19 ,  5C127AA01 ,  5C127BA09 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127BB19 ,  5C127CC03 ,  5C127DD28 ,  5C127EE06 ,  5C135AA09 ,  5C135AA15 ,  5C135AB07 ,  5C135AC01 ,  5C135HH06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (7)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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