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J-GLOBAL ID:200903070256035077
シャワープレート
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
飯阪 泰雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995310154
Publication number (International publication number):1997129563
Application date: Nov. 02, 1995
Publication date: May. 16, 1997
Summary:
【要約】[目的] CVD成膜時に付着する薄膜成分が厚膜化しても剥離し難いシャワープレートを提供すること。[構成] 外径350mmφ、厚さ10mmのアルミニウム板(A5052)の基板に対向する面に2mmピッチで幅1mmの溝を縦方向と横方向に掘り、形成される凸部Mと凹部NにR=0.5mmの丸みを付けて凹凸の深さ2mmの凹凸面を形成させ、直径0.4mmφのガス吹き出し用細孔13を20mmピッチで凸部Mに開口させてシャワープレート17とする。
Claim (excerpt):
CVD用真空装置内に設置され、原料ガスを基板面へ均一に供給するための細孔が多数に設けられているシャワープレートにおいて、前記基板に対向する面に大きさが数ミリメートルまたはミリメートル以下の凹凸が設けられていることを特徴とするシャワープレート。
IPC (3):
H01L 21/205
, C23C 16/44
, H01L 21/31
FI (3):
H01L 21/205
, C23C 16/44 D
, H01L 21/31 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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高周波プラズマCVD装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-158307
Applicant:三菱重工業株式会社
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プラズマ処理装置に用いる電極及びプラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-078028
Applicant:日新電機株式会社
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プラズマプロセス装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-169503
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
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半導体素子製造用ガス供給装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-318170
Applicant:三星電子株式会社
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プラズマ処理反応器内の導電性の面を保護するための方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-008690
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
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気相反応装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-156044
Applicant:日立電子エンジニアリング株式会社
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