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J-GLOBAL ID：200903054992099109

p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子

Inventor：
木村 明隆

About 木村 明隆

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笹岡 千秋

About 笹岡 千秋

, 
仁道 正明

About 仁道 正明


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997005231
Publication number (International publication number)：1998200214
Application date： Jan. 16, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：
【要約】【課題】 p型のドーパントであるマグネシウムの発光層への拡散を防止することによって、バンド間遷移確率の高い窒化ガリウム系レーザまたは設計値通りのスペクトルで発光する窒化ガリウム系発光ダイオードなどの窒化ガリウム系発光素子を提供すること。【解決手段】 マグネシウムが添加されたp型半導体層と発光層の間に、珪素が添加されたn型半導体層を形成する。前記n型半導体層がマグネシウムの拡散を防止するため、マグネシウムがp型半導体層から発光層へと拡散することがない。よって、本発明の窒化ガリウム系レーザは、量子井戸層に於けるバンド間遷移確率が低下することがなく、発振しきい値電流が低い。また本発明の発光ダイオードは、発光が期待したスペクトルからずれることがない。
Claim (excerpt)：
p型半導体層とn型半導体層により活性層を挟んだダブルへテロ構造を有し、前記p型半導体層に半導体層中を拡散しやすいp型ドーパント材料が添加された窒化ガリウム系発光素子であって、前記p型半導体層と活性層の間にn型拡散防止層が設けられていることを特徴とする窒化ガリウム系発光素子。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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