集積回路の多段埋め込み配線構造およびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996089507
Publication number (International publication number)：1997283520
Application date： Apr. 11, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、高精度な配線構造の形成が可能である、特に配線材料としてCuを用いた場合でも配線抵抗が高抵抗化せず、また絶縁層の絶縁性の低下しない集積回路の多段埋め込み配線構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】導電層上に第2の絶縁層のパターニング時の露光光の反射を防止する機能を有する導電性被覆層を形成することにより、導電層表面での露光光のハレーションを防止でき、かつ該導電性被覆層が導電層の酸化防止機能、拡散防止機能を備えることにより上記目的を達成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の第1の絶縁層中に形成された第1の埋め込み配線用溝と、該第1の埋め込み配線用溝に埋め込まれる第1の導電層および該導電層と導通し、第2の絶縁層のパターニング時の露光光の反射を防止する機能を有する導電性被覆層と、上記第1の絶縁層および導電性被覆層上に形成され、上記第1の導電層上にビアホールを有する第2の絶縁層と、該ビアホール内に形成され、上記第1の導電層と接続する導電性接続部と、上記第2の絶縁層と導電性接続部上に形成され、該導電性接続部上に第2の埋め込み配線用溝を有する第3の絶縁層と、該第2の埋め込み配線用溝に埋め込まれ、上記導電性接続部と導通する第2の導電層とを有することを特徴とする集積回路の多段埋め込み配線構造。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , H01L 23/522

FI (2)：

H01L 21/88 K , H01L 23/52 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-059889 Applicant：富士通株式会社
半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-249984 Applicant：株式会社東芝
金属配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-266966 Applicant：日本電気株式会社

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