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J-GLOBAL ID：200903071309543491

トンネル型磁気検出素子及びその製造方法

Inventor： 西村 和正 ,  斎藤 正路 ,  井出 洋介 ,  中林 亮 ,  西山 義弘 ,  小林 秀和 ,  長谷川 直也 ,  五十嵐 一聡 ,  梅津 英治 ,  田中 健一
Applicant, Patent owner： アルプス電気株式会社
Agent (2)： 野▲崎▼ 照夫 ,  三輪 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007065628
Publication number (International publication number)：2008103661
Application date： Mar. 14, 2007
Publication date： May. 01, 2008
Summary：

【課題】 特に、絶縁障壁層をMg-Oで形成したトンネル型磁気検出素子に係り、高い抵抗変化率(ΔR/R)を得ることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】 第2固定磁性層4cは、下からCoFeBあるいはFeBで形成された第1磁性層4c1、及びCoFeあるいはFeで形成された第2磁性層4c2の順に積層されてなる。前記第2固定磁性層4c上にMg-Oから成る絶縁障壁層5が形成されている。このように第2固定磁性層4cをCoFeBあるいはFeB/CoFeあるいはFeの積層構造とすることで、高い抵抗変化率(ΔR/R)を得ることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

下から、磁化が固定される固定磁性層、絶縁障壁層、外部磁界に対して磁化変動するフリー磁性層の順で積層され、あるいは下から、前記フリー磁性層、前記絶縁障壁層、前記固定磁性層の順で積層され、 前記絶縁障壁層は、Mg-Oで形成され、 前記固定磁性層の少なくとも一部を構成し前記絶縁障壁層と接する障壁層側磁性層は、CoFeBあるいはFeBで形成された第1磁性領域と、前記第1磁性領域と前記絶縁障壁層との間に位置するCoFeあるいはFeで形成された第2磁性領域とで構成されることを特徴とするトンネル型磁気検出素子。

IPC (9)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/16 ,  G01R 33/09

FI (9)：

H01L43/08 M ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01F10/16 ,  G01R33/06 R

F-Term (49)：

2G017AA10 ,  2G017AC01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119DD03 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119JJ09 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034CA06 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049BA16 ,  5E049BA25 ,  5E049DB14 ,  5F092AB03 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB53 ,  5F092BB59 ,  5F092BB66 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC19 ,  5F092BC22 ,  5F092BC46 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092CA14 ,  5F092CA15 ,  5F092CA26

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果記憶素子およびデジタル信号を記憶させる方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-402316   Applicant：松下電器産業株式会社
• 磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム、および磁気記憶システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-081789   Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (7)

• 交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気ランダムアクセスメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-316100   Applicant：日本電気株式会社
• 磁気記録ヘッド及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-148496   Applicant：株式会社日立製作所
• 記憶素子及びメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-277601   Applicant：ソニー株式会社
• 記憶素子及びメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-005513   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-203783   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-325315   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-330636   Applicant：ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ