不揮発性記憶素子とその製造方法、および記憶素子構造

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004528394
Publication number (International publication number)：2005534195
Application date： Jul. 19, 2003
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：

本発明は、不揮発性記憶素子とその製造方法、および記憶素子構造に関するものである。この不揮発性記憶素子は、形成電圧を低減するために、第1電極(1)が、スイッチング材(2)の中に、第2電極(3)によって形成された電界(E)の強度を増幅するための電界増幅構造(4)を備えている。

Claim (excerpt)：

スイッチング材(2)と、このスイッチング材(2)に設けられた導電性電極(1,3)とを備え、電圧の印加により、スイッチング材(2)に電界(E)を形成する不揮発性記憶素子であって、形成工程後、スイッチング材(2)に、少なくとも2つの異なる導電状態(ON、OFF)が広がり、スイッチング材(2)に、所定のプログラム電圧(Vschreib、Vloesch)を印加することにより、これらの導電状態を繰り返しスイッチング可能な不揮発性記憶素子において、上記導電性電極(1、3)の少なくとも一方は、スイッチング材(2)の電界(E)の強度を増幅する、少なくとも1つの電界増幅構造(4)を備えていることを特徴とする、不揮発性記憶素子。

IPC (2)：

H01L27/10 , H01L49/02

FI (2)：

H01L27/10 451 , H01L49/02

F-Term (9)：

5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083NA01 , 5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

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