半導体光集積回路およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺正康 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995122364
Publication number (International publication number)：1996313745
Application date： May. 22, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】受光素子または発光素子の周囲に深いみぞを形成し、その側面を不透明な薄膜でおおうことにより受光素子への迷光を遮断することのできる半導体光集積回路を実現する。【構成】受光素子または発光素子の周囲にみぞを形成し、その側面が受光部分または光出力部分を除き不透明な薄膜でおおわれるように形成する。

Claim (excerpt)：

発光素子と受光素子が同一基板上に形成された半導体光集積回路において、前記受光素子の周囲に半導体光吸収層より深いみぞが形成され、そのみぞの側面が受光素子の受光部分を除き不透明な薄膜でおおわれるように形成されたことを特徴とする半導体光集積回路。

IPC (6)：

G02B 6/122 , G02B 6/13 , H01L 27/14 , H01L 27/15 , H01S 3/18 , H01L 31/10

FI (6)：

G02B 6/12 B , H01L 27/15 C , H01S 3/18 , G02B 6/12 M , H01L 27/14 Z , H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平4-144182
特開平4-263206
表面実装型双方向伝送用モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-144359 Applicant：日立電線株式会社

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