Pat
J-GLOBAL ID：200903071561016704

SiC結晶の質を向上させる方法およびSiC半導体素子

Inventor：
土田 秀一

About 土田 秀一

, 
リュタウラス ストラスタ

About リュタウラス ストラスタ


Applicant, Patent owner：
財団法人電力中央研究所

About 財団法人電力中央研究所


Agent (4)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  鈴木 亨 ,  八本 佳子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006237996
Publication number (International publication number)：2008053667
Application date： Sep. 01, 2006
Publication date： Mar. 06, 2008
Summary：
【課題】高温アニーリングにより、キャリア捕獲中心を効果的に減少または除去するSiC層の質を向上させる方法、および該方法により作製されたSiC半導体素子を提供する。【解決手段】(a)最初のSiC結晶層(E)における浅い表面層(A)に炭素原子(C)、珪素原子、水素原子、またはヘリウム原子をイオン注入して、注入表面層に余剰な格子間炭素原子を導入する工程と、(b)当該層を加熱することにより、注入表面層(A)からバルク層(E)へ格子間炭素原子(C)を拡散させるとともにバルク層における電気的に活性な点欠陥を不活性化する工程と、を含む、幾つかのキャリア捕獲中心を除去または減少することによりSiC層の質を向上させる方法および該方法により作製された半導体素子。上記工程の後、表面層(A)を、エッチングするかまたは機械的に除去してもよい。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
結晶成長終了状態(アズグロウン)のSiC結晶層におけるキャリア捕獲中心を除去または減少することによりSiC結晶の質を向上させる方法であって、 (a)SiC結晶層における浅い表面層にイオン注入を行い、表面層に格子間炭素原子を導入する工程と、 (b)SiC結晶を加熱することにより、表面層に導入された格子間炭素原子を該表面層からバルク層へ拡散させるとともに格子間炭素原子と点欠陥とを結合させることで、バルク層における電気的に活性な点欠陥を不活性化する工程と、 を含む、SiC結晶の質を向上させる方法。
IPC (13)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/263 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/316 ,  C30B 29/36 ,  C30B 33/04
FI (12)：
H01L21/265 Z ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 602A ,  H01L21/263 E ,  H01L29/91 F ,  H01L29/72 ,  H01L29/74 F ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 655Z ,  H01L21/316 S ,  C30B29/36 A ,  C30B33/04
F-Term (47)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077FD02 ,  4G077FE03 ,  4G077FE11 ,  4G077FG02 ,  4G077FH07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TK11 ,  5F003BA08 ,  5F003BA92 ,  5F003BB90 ,  5F003BC90 ,  5F003BE90 ,  5F003BM01 ,  5F003BP08 ,  5F003BP12 ,  5F003BP23 ,  5F003BP31 ,  5F003BP41 ,  5F003BZ01 ,  5F003BZ02 ,  5F003BZ04 ,  5F005AF02 ,  5F005AH01 ,  5F005AH02 ,  5F005AH03 ,  5F005AH04 ,  5F005BA01 ,  5F005BB01 ,  5F045AB06 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045CA01 ,  5F045HA12 ,  5F045HA15 ,  5F045HA16 ,  5F058BC02 ,  5F058BE07 ,  5F058BF55 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第6,703,294号明細書
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM