Pat
J-GLOBAL ID:200903071835219259
露光装置の露光方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997140067
Publication number (International publication number):1998335208
Application date: May. 29, 1997
Publication date: Dec. 18, 1998
Summary:
【要約】【課題】本発明は、レチクルに形成された回路パターンをウェーハ上のレジストに焼き付けるためのリソグラフィ工程にて用いられる光ステッパの露光方法において、投影パターン像の形成に最適な投影レンズのフォーカス位置を正確に制御できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、素子の回路パターンが形成されたレチクル上に、露光条件の変化により、ウェーハ上に結像される投影パターン像RPaに、光近接効果による影響が出やすい矩形状パターンからなる焦点検出用パターンCPaを設ける。露光時には、この焦点検出用パターンCPaの投影パターン像RPaを読み取って、その横方向の長さLxRPa を求め、投影レンズの焦点位置からのずれを補正するための補正値ΔFを算出する。こうして、常に、投影レンズの焦点ずれを補正しながら回路パターンの露光を行う構成となっている。
Claim (excerpt):
レチクルに形成された、露光条件の変化にともなって、ウェーハ上に結像される投影パターン像に、光近接効果による影響が発生しやすい形状の焦点検出用パターンを、投影光学系を介して、前記ウェーハ上に転写する第1の工程と、前記ウェーハ上に形成された前記焦点検出用パターンの投影パターン像より、該投影パターン像の形成に最適な露光処理条件を算出する第2の工程と、前記算出された最適な露光処理条件にもとづいて、前記露光条件を制御する第3の工程とからなることを特徴とする露光装置の露光方法。
IPC (2):
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
FI (3):
H01L 21/30 514 C
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 526 A
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (9)
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露光条件評価用パターンとそれを使用する露光条件評価方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-120144
Applicant:株式会社日立製作所
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露光装置のフォーカスモニター方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-002785
Applicant:ソニー株式会社
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レチクル
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-261436
Applicant:日本プレシジョン・サーキッツ株式会社
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Cited by examiner (5)
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特開平1-187817
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露光条件評価用パターンとそれを使用する露光条件評価方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-120144
Applicant:株式会社日立製作所
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露光装置のフォーカスモニター方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-002785
Applicant:ソニー株式会社
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特開平1-187817
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レチクル
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-261436
Applicant:日本プレシジョン・サーキッツ株式会社
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