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J-GLOBAL ID：200903071864024734

集積型半導体発光装置

Inventor：
山本 直

About 山本 直


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997351436
Publication number (International publication number)：1999186651
Application date： Dec. 19, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 互いに波長が異なる光を独立にまたは同時に取り出すことができ、かつ、小型に構成することができる集積型半導体発光装置を提供する。【解決手段】 同一基板上に交互に互いに異なる種類の半導体層を成長させて発光素子構造を形成することにより、互いに発光波長が異なる複数種類の半導体発光素子を集積化する。半導体発光素子としては、発光波長が700nm帯のAlGaAs系半導体発光素子、発光波長が600nm帯のAlGaInP系半導体発光素子、発光波長が500nm帯のZnSe系半導体発光素子、発光波長が400nm帯のGaN系半導体発光素子などを用いる。基板としては、その上に集積化する半導体発光素子の種類に応じて、GaAs基板やSiC基板などを用いる。
Claim (excerpt)：
同一基板上に成長された半導体層により発光素子構造が形成された互いに発光波長が異なる複数種類の半導体発光素子を有することを特徴とする集積型半導体発光装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
  • 半導体発光素子およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-317416   Applicant：シャープ株式会社
  • 3族窒化物半導体発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-331485   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
  • 半導体レーザ装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-284064   Applicant：三菱電機株式会社
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