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J-GLOBAL ID:200903072016844434

自己整合接点形成用エッチングに用いるためのシリサイドゲート積層体の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉村 興作
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001569881
Publication number (International publication number):2004502295
Application date: Mar. 22, 2001
Publication date: Jan. 22, 2004
Summary:
次にSACエッチングを行い得る、シリサイド層(58)を有するゲート積層体(62)を形成する方法を開示する。この方法では、シリサイド層の頂部に絶縁材料の層(60)を設ける。この絶縁材料は、ゲート積層体を保護するのに充分なものであり、後の自己整合接点形成用エッチング処理において、低抵抗のゲート積層体を用いる場合にはシリサイド層を含む。
Claim (excerpt):
半導体装置用ゲート構造体であって、 半導体基板上に形成されたゲート酸化物と、 このゲート酸化物上に形成された導電性ゲートと、 この導電性ゲート上に形成されたシリサイド層と、 このシリサイド層の頂面上に形成されたエッチング保護キャップであって、前記ゲート構造体を用いる自己整合接点形成用エッチング処理中に、前記導電性ゲート及びシリサイド層がエッチングされるのを防止するのに充分な当該エッチ保護キャップと を具えるゲート構造体。
IPC (5):
H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108
FI (5):
H01L21/28 301D ,  H01L21/28 E ,  H01L21/60 301P ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 671Z
F-Term (22):
4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD84 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F044EE21 ,  5F083AD01 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA07 ,  5F083JA35 ,  5F083JA53 ,  5F083MA02 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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