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J-GLOBAL ID：200903072216061876

圧電応用素子

Inventor：
村松 研一

About 村松 研一


Applicant, Patent owner：
株式会社ニコン

About 株式会社ニコン


Agent (1)： 鎌田 久男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996030385
Publication number (International publication number)：1997223825
Application date： Feb. 19, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：
【要約】【課題】 薄膜形成技術により圧電素子を形成した圧電応用素子では、成膜過程で高温の成膜又は熱処理を行うと、圧電素子の圧電性低下や剥離が発生してしまう。【解決手段】 圧電応用素子の弾性体と電気機械変換素子との間に、高融点であって酸化し難い金属,高融点の貴金属又はこれらの合金からなる電極を、薄膜形成技術により形成する。
Claim (excerpt)：
薄膜形成技術により電気機械変換素子が表面に形成された弾性体を備える圧電応用素子であって、前記弾性体と前記電気機械変換素子との間に、高融点であって酸化し難い金属,高融点の貴金属又はこれらの合金からなる電極を配置したことを特徴とする圧電応用素子。
IPC (5)：
H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H02N 2/00 ,  H04R 17/00 ,  H03H 9/25
FI (5)：
H01L 41/08 C ,  H02N 2/00 C ,  H04R 17/00 ,  H03H 9/25 C ,  H01L 41/22 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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