オゾン水の加熱処理方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：伊東彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002291663
Publication number (International publication number)：2004089971
Application date： Aug. 29, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

【目的】高濃度オゾン水を少ないエネルギー投入量で効果的に過熱する方法を提供し、基板等の処理に利用する。従来の濃厚かつ高温度の薬液処理に比べ、処理作業の安全性を改善し、リンスや廃水処理の負荷の軽減を図る。【構成】被処理対象物上にオゾンを供給して被処理対象物の表面を処理または洗浄する方法において、オゾン水を供給する直前に蒸気を混合しオゾン水を加熱して使用することを特徴とするオゾン水の加熱処理方法。オゾン水には、酸、アルカリやオゾン分解抑止剤を添加することができる。【効果】加熱により増大したオゾンの酸化力を利用して、基板等を効果的に処理することができる。従来のプラズマアッシングや硫酸過水の処理に比べ、リンスや廃水処理が容易になる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

被処理対象物上にオゾン水を供給して該被処理対象物の表面を処理または洗浄する方法において、オゾン水を供給する直前に蒸気を混合しオゾン水を加熱して使用することを特徴とするオゾン水の加熱処理方法。

IPC (2)：

B08B3/08 , B08B3/10

FI (2)：

B08B3/08 Z , B08B3/10 Z

F-Term (6)：

3B201AA03 , 3B201BB21 , 3B201BB82 , 3B201BB92 , 3B201BB95 , 3B201BB96

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

基板洗浄装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-085464 Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
基板処理方法及び基板処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-179286 Applicant：ソニー株式会社
ウエ-ハレベルCSPのハンダバンプ形成面洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-143511 Applicant：株式会社エンヤシステム

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