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J-GLOBAL ID：200903066172489334

洗浄方法、洗浄装置ならびに半導体装置の製造方法およびアクティブマトリックス型表示装置の製造方法

Inventor：
速水 直哉

About 速水 直哉


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 大胡 典夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002036306
Publication number (International publication number)：2003236481
Application date： Feb. 14, 2002
Publication date： Aug. 26, 2003
Summary：
【要約】【課題】 被処理物を精密に洗浄することのできる洗浄方法と洗浄装置、ならびに、それを用いた半導体装置の製造方法とアクティブマトリックス型表示装置の製造法を提供すること。【解決手段】 密閉処理室2の内部の被処理物1に対して、オゾンガスを0.1MPaより高い圧力で、0.15MPa以上に加圧した純水に溶解させて生成したオゾン水を加熱した洗浄液に超音波を印加して用いることにより洗浄する。
Claim (excerpt)：
被処理物に対して、オゾンガスを0.1MPaより高い圧力で、0.15MPa以上に加圧した純水に溶解させて生成したオゾン水を加熱した洗浄液に超音波を印加して用いることにより前記被処理物を洗浄することを特徴とする洗浄方法。
IPC (5)：
B08B 3/10 ,  B08B 3/12 ,  G02F 1/13 101 ,  G09F 9/00 338 ,  H01L 21/304 647
FI (5)：
B08B 3/10 Z ,  B08B 3/12 Z ,  G02F 1/13 101 ,  G09F 9/00 338 ,  H01L 21/304 647 Z
F-Term (25)：
2H088FA21 ,  2H088FA24 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H088HA02 ,  2H088HA04 ,  2H088HA06 ,  2H088HA08 ,  2H088MA20 ,  3B201AA01 ,  3B201BB02 ,  3B201BB62 ,  3B201BB82 ,  3B201BB83 ,  3B201BB92 ,  3B201BB95 ,  3B201BB98 ,  3B201CD43 ,  5G435AA11 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB06 ,  5G435BB12 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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